Ｉｎｓｉｄｅ ＬＳＩ〜フラッシュの微細化限界 ｈｉｇｈ−ｋ材料・新構造で打破
日経マイクロデバイス 第234号 2004.12.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第234号（2004.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 8ページ （全9566字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （250kb） |
| 雑誌掲載位置 | 133〜140ページ目 |
吉川 邦良東芝セミコンダクター社品質推進センター システムＬＳＩ信頼性技術部９０ｎｍ，６５ｎｍへとスケーリングしてきたフラッシュ・メモリーは，今後４５ｎｍ，３２ｎｍ，２２ｎｍへと微細化を続けていく。しかし，今までの延長で微細化を続けてもいずれは限界が来ると，フラッシュの研究者は考えている。その限界に対して，ｈｉｇｈ−ｋ（高誘電率）絶縁膜などの新材料や，新構造を導入して挑もうとする動きがここへ来て見…
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