Ｉｎｓｉｄｅ ＬＳＩ 囲み〜大容量品の開発進むＰＲＡＭ 書き込み電力削減の提案も
日経マイクロデバイス 第234号 2004.12.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第234号（2004.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全810字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （250kb） |
| 雑誌掲載位置 | 139ページ目 |
素子原理を全面的に変えるメモリーの例として相変化メモリー（ＰＲＡＭ）の最新動向について触れる。最も開発が進んでいるのは，ＣＤやＤＶＤでお馴染みのＧＳＴ（ＧｅＳｂＴｅ）を使うカルコゲナイド材料によるメモリーである（図Ａ−１）。 ＰＲＡＭでは，スケーリングを進めるとジュール熱の電流値は下がって有利になるが，隣接セルとの熱的な分離が難しくなり，これが限界となる可能性がある。現在，６４Ｍビットのテスト・…
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