Ｎｅｗ　Ｐｒｏｄｕｃｔｓ　セミコンジャパン特集〜深掘り穴の側壁に段差が生じない
日経マイクロデバイス　第234号　2004.12.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第234号（2004.12.1）
ページ数	1ページ　（全612字）
形式	PDFファイル形式　（217kb）
雑誌掲載位置	126ページ目

　ＭＥＭＳデバイスに必要な深堀り穴の側壁を段差なく形成できるエッチング装置（図１０）。開発元のアルバックが石英のエッチング装置としてすでに販売中の「ＮＬＤシリーズ」をＳｉの深堀り加工に使えるようにした。Ｓｉとレジスト・マスクとの選択比は２００〜５００と従来品に比べて一ケタ大きい。エッチング速度は５μｍ／分〜２０μｍ／分と比較的速い。深堀りエッチング技術には，これまで「Ｂｏｓｃｈプロセス」と「低温プ…