Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ セミコンジャパン特集〜ウエーハ周辺部だけをプラズマでエッチング
日経マイクロデバイス 第234号 2004.12.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第234号（2004.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全653字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （217kb） |
| 雑誌掲載位置 | 125ページ目 |
ウエーハ周辺部だけを選択的にプラズマでエッチング処理する装置。装置化した韓国Ｓｏｓｕｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．と韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．が共同開発した。今回，３００ｍｍウエーハ対応で主に日本市場向けに製品化する（図８）。一般に，ウエーハ周辺部はＳｉＮやＳｉＯ２などの膜がはがれやすく，これがパーティクルの原因になることから，歩留まりを向上させるためには周辺部をエッ…
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