Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ セミコンジャパン特集〜バリヤー層との連続成膜が可能
日経マイクロデバイス 第234号 2004.12.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第234号（2004.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全650字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （217kb） |
| 雑誌掲載位置 | 124ページ目 |
コンタクト・ホールへのＷＮバリヤー層の形成とＷ膜の埋め込みを一度の工程で処理できる成膜装置（図７）。従来，これら２種類の膜は別の装置を使って形成する必要があったが，今回は一つのチャンバで連続処理できるようにした。これによって，コストの削減とデバイス製造時間の短縮が見込める。バリヤー層であるＷＮ膜は，従来のＡＬＤ（ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）より成膜速度を３〜４倍に高めた「ＰＮ…
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