Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ セミコンジャパン特集〜スループットを２５％向上
日経マイクロデバイス 第234号 2004.12.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第234号（2004.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全544字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （217kb） |
| 雑誌掲載位置 | 123ページ目 |
スループットを従来に比べて約２５％向上したＫｒＦエキシマ・レーザー露光装置（図４）。マスク・ステージやウエーハ・ステージなどの機械的な駆動部を高速化したことによって，３００ｍｍウエーハで１４０枚／時の高スループットを実現した。この値は露光時のステップ・ピッチが２６ｍｍ×３３ｍｍ，ショット数が７６，露光量が３０ｍＪ／ｃｍ２の条件において達成している。このほか，ステージの位置合わせ精度に関しても，従…
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