New Products セミコンジャパン特集〜low−k対応でバンプ接合を低温・低荷重化
日経マイクロデバイス 第234号 2004.12.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第234号(2004.12.1) |
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ページ数 | 1ページ (全581字) |
形式 | PDFファイル形式 (217kb) |
雑誌掲載位置 | 122ページ目 |
LSIのバンプの高さを均一にそろえ,平坦化する切削加工装置。装置化するディスコと,富士通,富士通研究所,東芝機械が共同開発した。LSIは45nmノード(hp65)以降,機械的強度が弱い低誘電率(low−k)膜の採用が本格化する。このため,LSIの実装時には,バンプ周辺にストレスがかからないように低温・低荷重でバンプを接合する必要がある。そのためにはバンプの高さを均一化することが有効だが,従来は金…
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