Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ Ｐａｒｔ３ Ｉｎｔｅｒｖｉｅｗ 囲み ４５ｎｍは“戦略的微細化”で突破〜アニールの本質は 「時定数の違う熱現象を制御」
日経マイクロデバイス 第233号 2004.11.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第233号（2004.11.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1145字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （489kb） |
| 雑誌掲載位置 | 52ページ目 |
ソース・ドレイン拡散領域への不純物打ち込み後のアニール処理には，大きく二つの役割がある。一つは「打ち込んだ不純物を電気的に活性化させること」であり，もう一つは「不純物の打ち込みによって発生した結晶欠陥を除去すること」である。 イオン打ち込みによって注入した不純物は，通常Ｓｉ結晶中にランダムに存在しており，この状態ではＳｉは電気的に不活性な状態，すなわち電気伝導度の低い状態にある。ここにアニール処…
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- Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ Ｐａｒｔ３ Ｉｎｔｅｒｖｉｅｗ ４５ｎｍは“戦略的微細化”で突破〜２０年ぶりにアニール技術を刷新 光源置き換え，極浅接合を形成
- Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ Ｐａｒｔ４ Ｉｎｔｅｒｖｉｅｗ ４５ｎｍは“戦略的微細化”で突破〜ポーラスｌｏｗ−ｋの採用が本格化 スピン塗布方式からスタート
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