Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ Ｐａｒｔ４ Ｉｎｔｅｒｖｉｅｗ ４５ｎｍは“戦略的微細化”で突破〜ポーラスｌｏｗ−ｋの採用が本格化 スピン塗布方式からスタート
日経マイクロデバイス 第233号 2004.11.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第233号（2004.11.1） |
|---|---|
| ページ数 | 8ページ （全6976字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （647kb） |
| 雑誌掲載位置 | 58〜65ページ目 |
必要性が叫ばれながら常に先送りされてきたポーラス低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）層間絶縁膜が，いよいよ実用化する。まずは従来のＳｉＯＣ系材料とのハイブリッド構造で６５ｎｍノード（ｈｐ９０）のロジックＬＳＩから導入を始める。本格的な実用化が始まるのは，実効比誘電率３を目標とする４５ｎｍノード（ｈｐ６５）からとなる。ポーラスｌｏｗ−ｋ膜への移行に伴い，成膜装置にも影響が出る。従来のプラズマＣＶＤ法に代えてスピン…
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