Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ Ｐａｒｔ３ Ｉｎｔｅｒｖｉｅｗ ４５ｎｍは“戦略的微細化”で突破〜２０年ぶりにアニール技術を刷新 光源置き換え，極浅接合を形成
日経マイクロデバイス 第233号 2004.11.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第233号（2004.11.1） |
|---|---|
| ページ数 | 8ページ （全9078字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （489kb） |
| 雑誌掲載位置 | 50〜57ページ目 |
４５ｎｍノード（ｈｐ６５）を境に，アニール技術が２０年ぶりに刷新する。これまでのアニール技術の延長では，ＭＯＳ ＦＥＴのソース・ドレインに隣接して形成する極浅接合への要求を満たせないからである。ＭＯＳ ＦＥＴの特性に直接影響する極浅接合の形成は，デバイス・プロセスの要といえる。新しい世代のアニール技術はいくつかの候補が浮上しているが，どれを選択するかはＬＳＩメーカー各社にとって重要な判断となる。こ…
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