Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ Ｐａｒｔ２ Ｉｎｔｅｒｖｉｅｗ ４５ｎｍは“戦略的微細化”で突破〜量産目前のｈｉｇｈ−ｋ／メタル・ゲート 材料総入れ替えに挑む
日経マイクロデバイス 第233号 2004.11.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第233号（2004.11.1） |
|---|---|
| ページ数 | 6ページ （全8570字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （414kb） |
| 雑誌掲載位置 | 44〜49ページ目 |
長年，ＭＯＳ ＦＥＴの標準材料として使われてきたＳｉＯ２系ゲート絶縁膜と多結晶Ｓｉゲートが全面的に置き換わろうとしている。２００７年の４５ｎｍノード（ｈｐ６５）から，高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）ゲート絶縁膜とメタル・ゲートの量産導入が本格化するためである。多くのＬＳＩメーカーはｈｉｇｈ−ｋ材料の候補をＨｆＳｉＯＮに絞り込んだが，メタル・ゲート材料に関しては目下探索を続けている状況である。このようなゲー…
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