Ｃｏｖｅｒ　Ｓｔｏｒｙ　Ｐａｒｔ４　Ｉｎｔｅｒｖｉｅｗ　囲み　４５ｎｍは“戦略的微細化”で突破〜非ポーラス材料で　比誘電率２．２を達成
日経マイクロデバイス　第233号　2004.11.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第233号（2004.11.1）
ページ数	2ページ　（全2329字）
形式	PDFファイル形式　（647kb）
雑誌掲載位置	62〜63ページ目

　空孔を持たない非ポーラス材料でありながら比誘電率が２．２と低い低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）膜「ＦＡＲ２．２」を今回開発した。この膜は，ヤング率が１２ＧＰａ，熱膨張係数が２０ｐｐｍ／℃，４２５℃で数時間の熱安定性を示す（図Ｂ−１）。この膜を集積化したシングル・ダマシンおよびデュアル・ダマシン構造において実効的な比誘電率で２．６を達成している。４００℃以上の熱でも安定　開発したｌｏｗ−ｋ膜は反応性ラジカル…