Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ Ｐａｒｔ１ Ｉｎｔｅｒｖｉｅｗ ４５ｎｍは“戦略的微細化”で突破〜メモリー●韓国Ｓａｍｓｕｎｇ 新構造のトランジスタを相次ぎ導入
日経マイクロデバイス 第233号 2004.11.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第233号（2004.11.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1617字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （626kb） |
| 雑誌掲載位置 | 43ページ目 |
Ｋｉ−Ｎａｍ Ｋｉｍ氏韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．Ｓｅｎｉｏｒ Ｖｉｃｅ Ｐｒｅｓｉｄｅｎｔ， Ｓａｍｓｕｎｇ ＦｅｌｌｏｗＡＴＤ Ｔｅａｍ， Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｒ＆Ｄ Ｃｅｎｔｅｒ， Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｂｕｓｉｎｅｓｓ−今後の微細化のスケジュールを教えて下さい。 それぞれハーフ・ピッチを指しますが，ＤＲＡＭは現在，１１０ｎｍを量産化しており…
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- Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ Ｐａｒｔ１ Ｉｎｔｅｒｖｉｅｗ ４５ｎｍは“戦略的微細化”で突破〜ロジックＬＳＩ●米ＩＢＭ 微細化と「ムーアの法則」は異なる
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- Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ Ｐａｒｔ３ Ｉｎｔｅｒｖｉｅｗ ４５ｎｍは“戦略的微細化”で突破〜２０年ぶりにアニール技術を刷新 光源置き換え，極浅接合を形成
- Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ Ｐａｒｔ３ Ｉｎｔｅｒｖｉｅｗ 囲み ４５ｎｍは“戦略的微細化”で突破〜アニールの本質は 「時定数の違う熱現象を制御」
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