Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ Ｐａｒｔ１ Ｉｎｔｅｒｖｉｅｗ ４５ｎｍは“戦略的微細化”で突破〜ロジックＬＳＩ●台湾ＴＳＭＣ 液浸で先行，１０月から評価を開始
日経マイクロデバイス 第233号 2004.11.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第233号（2004.11.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1648字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （626kb） |
| 雑誌掲載位置 | 42ページ目 |
Ｓｈａｎｇ−Ｙｉ Ｃｈｉａｎｇ氏台湾Ｔａｉｗａｎ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．Ｓｅｎｉｏｒ Ｖｉｃｅ ＰｒｅｓｉｄｅｎｔＲｅｓｅａｒｃｈ ＆ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ−ＴＳＭＣが指すテクノロジ・ノードとは。 われわれのテクノロジ・ノードはほぼＩＴＲＳ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｒｏａｄｍａｐ ｆｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ…
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- Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ Ｐａｒｔ１ Ｉｎｔｅｒｖｉｅｗ ４５ｎｍは“戦略的微細化”で突破〜ロジックＬＳＩ●米Ｉｎｔｅｌ 複雑化の問題をマルチ・コアで回避
- Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ Ｐａｒｔ１ Ｉｎｔｅｒｖｉｅｗ ４５ｎｍは“戦略的微細化”で突破〜ロジックＬＳＩ●米ＩＢＭ 微細化と「ムーアの法則」は異なる
- Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ Ｐａｒｔ１ Ｉｎｔｅｒｖｉｅｗ ４５ｎｍは“戦略的微細化”で突破〜メモリー●韓国Ｓａｍｓｕｎｇ 新構造のトランジスタを相次ぎ導入
- Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ Ｐａｒｔ２ Ｉｎｔｅｒｖｉｅｗ ４５ｎｍは“戦略的微細化”で突破〜量産目前のｈｉｇｈ−ｋ／メタル・ゲート 材料総入れ替えに挑む
- Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ Ｐａｒｔ３ Ｉｎｔｅｒｖｉｅｗ ４５ｎｍは“戦略的微細化”で突破〜２０年ぶりにアニール技術を刷新 光源置き換え，極浅接合を形成
Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ Ｐａｒｔ１ Ｉｎｔｅｒｖｉｅｗ ４５ｎｍは“戦略的微細化”で突破〜ロジックＬＳＩ●米Ｉｎｔｅｌ 複雑化の問題をマルチ・コアで回避
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