Ｒｅｐｏｒｔ［Ｌｏｇｉｃ］〜ＳＯＩ，ひずみＳｉに対応し ３０ｎｍの欠陥を観る装置を開発
日経マイクロデバイス 第230号 2004.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第230号（2004.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 3ページ （全4670字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （90kb） |
| 雑誌掲載位置 | 88〜90ページ目 |
ＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ），ひずみＳｉ，高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）ゲート絶縁膜−−。これらの新しいデバイス技術の登場によって検査装置メーカーは新たな課題に直面している。新材料や厚さ数十ｎｍの極薄膜上のさまざまな欠陥は，通常の検査方法では検出することが極めて難しいためである。われわれは，欠陥検査を大きく左右する感度，スループット，信号，雑音などの重要な要素を総合的に検討するこ…
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