Ｒｅｐｏｒｔ［Ｍｅｍｏｒｙ］〜次世代メモリー「ＲＲＡＭ」 記憶素子の低温・高速形成に道
日経マイクロデバイス 第230号 2004.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第230号（2004.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2323字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （58kb） |
| 雑誌掲載位置 | 93〜94ページ目 |
次世代不揮発性メモリーＲＲＡＭ（Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ ＲＡＭ）の量産を現実のものに近付ける成膜技術が登場した注１）。半導体関連の技術開発会社グローバルシリコンネット（ＧＳＮ）が開発した。ＲＲＡＭは，記憶素子の抵抗値変化によってデータを記録するメモリーである。開発していることを公にしているのはシャープなどに限られているが，ＧＳＮによると，水面下ではシャープ以外に複数の半導体メーカーが研究・開発中と…
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