Ｒｅｐｏｒｔ［Ｍｅｍｏｒｙ］〜ＳＥＭＡＴＥＣＨのＦ２開発中止で ４５ｎｍ以降の露光シナリオが鮮明に
日経マイクロデバイス 第230号 2004.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第230号（2004.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1763字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （58kb） |
| 雑誌掲載位置 | 84ページ目 |
次世代の露光シナリオが，６月末に開かれた「ＮＧＬワークショップ ２００４」注１）で鮮明になった。ニコン，オランダＡＳＭ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ社（ＡＳＭＬ），キヤノンの露光装置大手３社は，液浸ＡｒＦ露光技術を４５ｎｍノード（ｈｐ６５）以降の本命と位置付けている（図１）。米Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ ＳＥＭＡＴＥＣＨ社（ＩＳＭＴ）は，会員企業の意向によりＦ２露光技術の開発を中止し，液浸ＡｒＦおよび…
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