Ｒｅｐｏｒｔ［Ｍｅｍｏｒｙ］〜スピン注入で“省エネ書き込み” 見えたＧビット級ＭＲＡＭへの道
日経マイクロデバイス 第230号 2004.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第230号（2004.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 3ページ （全4568字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （75kb） |
| 雑誌掲載位置 | 85〜87ページ目 |
ＭＲＡＭ（ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ）の高集積化に向けた課題を根本的に解決する可能性のある手法が登場した。「スピン注入磁化反転法」と呼ばれる書き込み方式を使って，書き込み電流密度を大幅に引き下げる技術である（図１）。東北大学と東芝がそれぞれ開発した。これによって，微細化しようとしても書き込み電流が下がらず大容量化が難しいというＭＲＡＭの致命的欠陥を…
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