Ｉｎｓｉｄｅ Ｌｏｇｉｃ〜４５ｎｍ技術で先行した東芝が示す １０ｎｍ台への微細化の指針
日経マイクロデバイス 第229号 2004.7.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第229号（2004.7.1） |
|---|---|
| ページ数 | 3ページ （全2368字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （274kb） |
| 雑誌掲載位置 | 53〜55ページ目 |
４５ｎｍ（ｈｐ６５）技術で先行した東芝が今後の微細化の指針を示した。２０１６年ごろに量産化する１０ｎｍ台まで，平面型トランジスタとバルクＳｉ基板を使う従来の基本構造で引っ張る。同社が微細化の追求に揺るぎないのは，その強みを生かせるＬＳＩ製品を確実につかんでいることにある。このような東芝の微細化技術の方向や，リーク電流を考慮した低電圧化の新たなガイドラインが，６月１５〜１７日に開催された「２００４ …
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