Ｃｏｖｅｒ　Ｓｔｏｒｙ　Ｐａｒｔ２　次のＬＳＩの競争力〜歩留まり低下の処方せん　“見えない欠陥”を観る技術
日経マイクロデバイス　第229号　2004.7.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第229号（2004.7.1）
ページ数	8ページ　（全9543字）
形式	PDFファイル形式　（290kb）
雑誌掲載位置	34〜41ページ目

Ｃｕ配線，低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）膜，ひずみＳｉ，ＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ　ｏｎ　ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）・・・。９０ｎｍノード（ｈｐ１３０）を境にデバイスに使う材料や構造が様変わりした。これによって，予期せぬ歩留まりの低下が頻発するようになっている。例えばＣｕ配線の導入によって，従来は問題とならなかったビア底部の腐食が歩留まりの低下に深くかかわるようになっている。このような新たな欠陥は，従来の表面検査装…