Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ Ｐａｒｔ１ 囲み〜ゲート長５ｎｍのトランジスタ 発表の真意は「技術者への激励」
日経マイクロデバイス 第224号 2004.2.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第224号（2004.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全697字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （244kb） |
| 雑誌掲載位置 | 29ページ目 |
ＮＥＣとＮＥＣエレクトロニクスは，ゲート長が５ｎｍのトランジスタの動作に成功したと「２００３ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｍｅｅｔｉｎｇ（２００３ ＩＥＤＭ）」で発表した（図Ａ）。ゲートの下端をすぼめてゲート長を短くした。発表者が断っている通り，ここまで小さくしても動作することを示す目的で開発したのであり，諸特性はまだ満足できるレベルにはない。 ゲート長を短くす…
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