Ｃｏｖｅｒ　Ｓｔｏｒｙ　Ｐａｒｔ３〜リソより材料性能を重視　ひずみ，ｈｉｇｈ−ｋ，有機ＦＥＴがブレイク
日経マイクロデバイス　第224号　2004.2.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第224号（2004.2.1）
ページ数	1ページ　（全758字）
形式	PDFファイル形式　（262kb）
雑誌掲載位置	45ページ目

露光技術に替わり，材料技術がロジックＬＳＩの進化をけん引し始めた。ロジックＬＳＩは，これまでＳｉトランジスタのゲート長を縮小する露光技術によって高速・低消費電力化を達成してきた。しかし，今後は露光技術を進化させずにチャネル材料やゲート絶縁材料を変えることによって高速・低消費電力化を達成していく。この具体例がひずみＳｉと高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）ゲート絶縁膜である。さらに，露光による微細化では達成でき…