Ｉｎｓｉｄｅ　Ｍｅｍｏｒｙ〜０．１８μｍで４Ｍ　ＭＲＡＭ試作　間近の量産に向けデータ積み上げる
日経マイクロデバイス　第217号　2003.7.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第217号（2003.7.1）
ページ数	10ページ　（全12987字）
形式	PDFファイル形式　（222kb）
雑誌掲載位置	101〜110ページ目

２００４年の量産に向けてＭＲＡＭ（ｍａｇｎｅｔｒｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ　ｒａｎｄｏｍ　ａｃｃｅｓｓ　ｍｅｍｏｒｙ）の開発が加速している。試作レベルでは，設計ルールを０．１８μｍに縮小したチップが登場した。米Ｍｏｔｏｒｏｌａ　Ｉｎｃ．は４Ｍビット品を試作，６月に発表した。さらに，０．６μｍ技術をベースに，量産に向けた実用化データを着々と積み上げている。ＭＲＡＭ開発に火を付けた米ＩＢＭ　Ｃｏｒｐ．と独Ｉ…