Ｉｎｓｉｄｅ　Ｌｏｇｉｃ〜快走する東芝・ソニーのＤＲＡＭ混載６５ｎｍ　後は信頼性確認と歩留まり向上
日経マイクロデバイス　第217号　2003.7.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第217号（2003.7.1）
ページ数	12ページ　（全12212字）
形式	PDFファイル形式　（237kb）
雑誌掲載位置	79〜90ページ目

東芝とソニーが，共同開発中のＤＲＡＭ混載６５ｎｍ技術のプラットフォームを完成，その全貌を明らかにした。両社は２００２年末までに，基本技術を完成させていた。今回は，その時点では基本部分にとどまっていた露光技術や配線技術の詳細を固め，さらにＳＲＡＭセル技術の改良や高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）ゲート絶縁膜の開発を進めた。２００４年春の生産開始を目指し，今後はＬＳＩ全体の歩留まり向上と信頼性評価を進めていく。…