μレポート［ＬＳＩ製造］〜ｈｉｇｈ−ｋ使ったＦＥＴで 移動度を３倍に向上 Ｓｅｌｅｔｅが達成
日経マイクロデバイス 第214号 2003.4.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第214号（2003.4.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2454字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （99kb） |
| 雑誌掲載位置 | 26〜27ページ目 |
ｈｉｇｈ−ｋプロセストランジスタ高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）ゲート絶縁膜を使い，移動度を従来の３倍に向上する技術が登場した。これまでｈｉｇｈ−ｋ膜の最大の課題は電子の移動度が劣化してしまうことだった。今回，半導体先端テクノロジーズ（Ｓｅｌｅｔｅ）はｈｉｇｈ−ｋ膜へのダメージを減らすことで移動度の劣化を抑えた。 Ｓｅｌｅｔｅは６５ｎｍノードのトランジスタ技術を開発している（図１）。６５ｎｍではゲートのリ…
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