μレポート［ＬＳＩ製造］〜露光技術の実用化時期 ＡｒＦは早くても２００７年 ＥＵＶは２００９年
日経マイクロデバイス 第214号 2003.4.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第214号（2003.4.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2087字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （123kb） |
| 雑誌掲載位置 | 23〜24ページ目 |
露光微細化ＥＵＶ次世代露光技術の方向が明確になってきた。ＡｒＦエキシマ・レーザー露光からＦ２エキシマ・レーザー露光への移行は，ＡｒＦ露光が実用的に限界に達する６５ｎｍ近辺のパターンからであり，移行時期は早くてもＦ２露光の量産対応が可能になる２００７年以降になる。同じくＦ２露光からＥＵＶ（ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）露光への移行は，５０ｎｍ近辺で２００９年以降になる。このような認識は，次…
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