μレポート［ＬＳＩ製造］［ＬＳＩ設計］〜ユビキタス時代を見すえて ６５ｎｍ，ｈｉｇｈ−ｋ，低電力無線， 不揮発性の発表相次ぐ
日経マイクロデバイス 第214号 2003.4.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第214号（2003.4.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全1933字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （124kb） |
| 雑誌掲載位置 | 34〜35ページ目 |
ｈｉｇｈ−ｋ低電圧化微細化ユビキタス時代を見すえた各種技術が２００３年６月１０〜１４日に京都で開かれる「２００３ Ｓｙｍｐｏｓｉａ ｏｎ ＶＬＳＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ａｎｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ」に相次ぐ。小型の携帯機器に各種機能を詰め込むための６５ｎｍプロセス，バッテリ寿命を延ばすための高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）ゲート絶縁膜，低電力の無線技術，不揮発性メモリーである。 ６５ｎｍプロセスと高誘電率（…
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