μレポート［ＬＳＩ製造］〜チャネル構造・材料の 変更シナリオが見えた
日経マイクロデバイス 第212号 2003.2.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第212号（2003.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 4ページ （全4095字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （165kb） |
| 雑誌掲載位置 | 19〜22ページ目 |
トランジスタ高速化微細化ＭＯＳ ＦＥＴの性能を向上するため，チャネルの構造や材料の変更がデバイス技術の大きな柱となる。この構造・材料の変更シナリオが２００２年１２月８〜１１日に米国サンフランシスコで開かれた「２００２ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｍｅｅｔｉｎｇ（２００２ ＩＥＤＭ）」で明確になった。駆動電流の増加を目指したチャネル材料・物性の変更と，短チャネル効果…
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