μレポート［ＬＳＩ製造］〜微細化の２年サイクルに 変更なし，９０ｎｍに歪みＳｉ ｋ＝２．９のｌｏｗ−ｋ膜を採用
日経マイクロデバイス 第212号 2003.2.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第212号（2003.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1592字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （96kb） |
| 雑誌掲載位置 | 27ページ目 |
微細化研究開発製造プロセスＬＳＩの「微細化の限界説」を唱える声が強まる中，これまで微細化を積極的に推進してきた米Ｉｎｔｅｌ Ｃｏｒｐ．は今後，どのようなプロセス技術戦略を取ろうとしているのか。同社のＬＳＩプロセスにおける技術戦略で指揮をとるＰａｏｌｏ Ａ． Ｇａｒｇｉｎｉ氏に聞いた。−− ＬＳＩのプロセス開発で「微細化の限界説」が指摘されていますが，どのような対応を考えていますか。「われわれは，２…
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