特集　Ｐａｒｔ２　囲み〜ショットキ・ソース・ドレイン技術を　歪みＳｉＧｅ　ＭＯＳ　ＦＥＴに導入
日経マイクロデバイス　第206号　2002.8.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第206号（2002.8.1）
ページ数	1ページ　（全964字）
形式	PDFファイル形式　（398kb）
雑誌掲載位置	51ページ目

　「ソース・エンジニアリング」として注目されているショットキ・ソース・ドレイン技術を，富士通研究所が歪みＳｉＧｅチャネルｐＭＯＳ　ＦＥＴに導入した（図Ａ）。同社は「２００２　Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ　ｏｎ　ＶＬＳＩ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」で歪みＳｉＧｅチャネルを使ったゲート長０．１μｍのｐＭＯＳ　ＦＥＴを発表したが，微細化に必要なソース，ドレイン接合部の低抵抗化は課題として残っていた。その後，ショットキ…