特集 Ｐａｒｔ２〜見えてきた開発の方向性 歪みＳｉやｈｉｇｈ−ｋを駆使
日経マイクロデバイス 第206号 2002.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第206号（2002.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1077字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （398kb） |
| 雑誌掲載位置 | 44ページ目 |
トランジスタ 高速化 低消費電力化「問題解決に向けた技術開発の方向性がハッキリしてきた」。５０ｎｍ向けのデバイス開発に取り組む技術者の表情は明るい。ＭＯＳ ＦＥＴのチャネル，ゲート，ソースの三つの領域でそれぞれ革新技術の開発に挑戦する。各領域における候補技術はいくつかあるが，中でも注目を集めているのがチャネルに関わる歪みＳｉ技術とゲートに関わる高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）ゲート絶縁膜技術である。６月に…
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特集 とびら〜５０ｎｍ時代のＬＳＩ技術・経営 “異質”の難しさに挑む
特集 Ｐａｒｔ１〜７５％が「異質」を指摘 異種技術連携で乗り切る
特集 Ｐａｒｔ２ 寄稿〜歪みＳｉ● 世界で初めてＣＭＯＳ動作を実現
特集 Ｐａｒｔ２ 囲み〜ショットキ・ソース・ドレイン技術を 歪みＳｉＧｅ ＭＯＳ ＦＥＴに導入
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