特集 Ｐａｒｔ２ 寄稿〜ｈｉｇｈ−ｋ● 移動度や信頼性の議論が活発化
日経マイクロデバイス 第206号 2002.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第206号（2002.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 6ページ （全7954字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （398kb） |
| 雑誌掲載位置 | 52〜57ページ目 |
松下電器産業 半導体社事業本部 プロセス開発センター丹羽 正昭 優れたモバイル機器の実現には低スタンバイ電力のデバイス技術が不可欠となる。その低スタンバイ電力のデバイス技術で特に重要なのが，高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）ゲート絶縁膜である注６）。これは，５０ｎｍ以降のデバイスを支える技術として注目されている注７）。以降では，２００１年版の国際半導体技術ロードマップ（ＩＴＲＳ ２００１）６）における報告と…
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