特集 Ｐａｒｔ２ 寄稿〜歪みＳｉ● 世界で初めてＣＭＯＳ動作を実現
日経マイクロデバイス 第206号 2002.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第206号（2002.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 7ページ （全7200字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （398kb） |
| 雑誌掲載位置 | 45〜51ページ目 |
半導体ＭＩＲＡＩプロジェクト東芝研究開発センター高木 信一 ＣＭＯＳの性能向上を続けていくためには，これまでの微細化の追求に加えて，材料や素子構造の変更が有効である。このような技術シナリオが具体化してきた。以下では，今後のＣＭＯＳ性能の向上のために必要な技術についてまとめる。その中で現在注目が集まっている「チャネル・エンジニアリング」，特に歪みＳｉとＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ…
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