特集１　Ｐａｒｔ２〜超低リーク電流を実現する　Ｐｒ２Ｏ３高誘電率ゲート絶縁膜
日経マイクロデバイス　第188号　2001.2.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第188号（2001.2.1）
ページ数	2ページ　（全2276字）
形式	PDFファイル形式　（177kb）
雑誌掲載位置	56〜57ページ目

　Ｐｒ２Ｏ３高誘電率ゲート絶縁膜が優れた低リーク特性を持つことを見いだした（図Ａ−１，図Ａ−２）。現在研究が進められているＨｆＯ２やＺｒＯ２に比べてゲート・リーク電流を約４ケタ低減できる。Ｐｒ２Ｏ３の比誘電率は約３１と高く，１０００℃の高温雰囲気に１５秒さらしても電気的性質は変化しない。ＳｉＯ２に代わる高誘電率材料　現在使われているＳｉＯ２ゲート絶縁膜は厚さが２ｎｍ以下になると直接トンネリングによ…