特集１ Ｐａｒｔ２〜０．１μｍ以降に向け，米ＡＭＡＴが トランジスタ技術開発に注力
日経マイクロデバイス 第188号 2001.2.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第188号（2001.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全520字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （177kb） |
| 雑誌掲載位置 | 55ページ目 |
０．１μｍプロセス以降に向け，ＬＳＩメーカーばかりではなく製造装置メーカーも，トランジスタ技術の開発に注力するようになる。その代表例が製造装置メーカー最大手の米Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ， Ｉｎｃ．（ＡＭＡＴ）である。同社Ｓｅｎｉｏｒ Ｖｉｃｅ Ｐｒｅｓｉｄｅｎｔ， Ｏｆｆｉｃｅ ｏｆ ｔｈｅ ＰｒｅｓｉｄｅｎｔのＳａｓｓ Ｓｏｍｅｋｈ氏は，本誌のインタビューに答え，今後はトランジスタ関…
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