特集１　Ｐａｒｔ３〜セル面積縮小で先手　８Ｆ２から６Ｆ２へ移行
日経マイクロデバイス　第188号　2001.2.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第188号（2001.2.1）
ページ数	4ページ　（全4208字）
形式	PDFファイル形式　（174kb）
雑誌掲載位置	60〜63ページ目

ＬＳＩプロセス　ＤＲＡＭ　微細化ＤＲＡＭセル技術における「テクノロジ・パラノイア」は，新しいセル技術の開発に走り始めた。これまで２０年以上に渡って使ってきた８Ｆ２セル技術から６Ｆ２セル技術への革新を目指す。このような技術に取り組む背景には，ビット単価のトレンドに沿ってコスト削減を維持することが「ＤＲＡＭビジネスで勝ち残るための必須条件」との共通認識がある。６Ｆ２セル技術を使って競合他社に比べてコス…