特集１　Ｐａｒｔ３〜縦型トランジスタと積層ビット線で　６Ｆ２のトレンチ型ＤＲＡＭセルを実現
日経マイクロデバイス　第188号　2001.2.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第188号（2001.2.1）
ページ数	6ページ　（全9294字）
形式	PDFファイル形式　（174kb）
雑誌掲載位置	64〜69ページ目

米ＩＢＭ　Ｃｏｒｐ．Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｒ＆Ｄ　ＣｅｎｔｅｒＣ．　Ｒａｄｅｎｓ独Ｉｎｆｉｎｅｏｎ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ　ＡＧ．Ｕ．　Ｇｒｕｅｎｉｎｇ　従来の限界だったセル面積である８Ｆ２を超え，量産を前提として６Ｆ２まで縮小できる新しいセル構造を開発した（図４）。しかも，設計ルール０．１μｍ以降で顕在化するオフ・リーク電流の問題を克服している。このセル構造は，トレンチ・キャパシタと縦型…