特集１ Ｐａｒｔ２〜０．０３μｍゲートを２００５年 米Ｉｎｔｅｌの宣言の真意と反響
日経マイクロデバイス 第188号 2001.2.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第188号（2001.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1447字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （177kb） |
| 雑誌掲載位置 | 53ページ目 |
米Ｉｎｔｅｌ Ｃｏｒｐ．は，今回のゲート長０．０３μｍのＣＭＯＳトラジスタ技術を２００５年の０．０７μｍプロセス向けと発表した。「２０００ ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｍｅｅｔｉｎｇ（２０００ ＩＥＤＭ）」の発表だけにとどまらず，記者向けの発表会まで開催している。 さらに，今回の技術発表を指揮した同社Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｓｔｒａｔｅｇｉｓｔ ａｎｄ …
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