技術レター［ＬＳＩ製造］〜ゲート長０．０９５μｍの システムＬＳＩ技術を ＮＥＣが開発
日経マイクロデバイス 第186号 2000.12.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第186号（2000.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全394字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （27kb） |
| 雑誌掲載位置 | 138ページ目 |
システムＬＳＩ微細化層間絶縁膜 ゲート長０．０９５μｍのシステムＬＳＩ技術「ＣＢ−１３０」をＮＥＣエレクトロンデバイスが開発した。プロセス技術は０．１３μｍの「ＵＸ５」。配線は最大９層。全層Ｃｕ配線で，層間絶縁膜には比誘電率２．９のＨＳＱを採用した。今回のＣＢ−１３０の特徴は，３種類のトランジスタを準備したこと，４トランジスタＳＲＡＭを準備したことの二つである。トランジスタは高性能版，高密度版，低…
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