技術レター［ＬＳＩ製造］〜米Ｍｉｃｒｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ２００１年内に０．１５μｍへ １００％移行
日経マイクロデバイス 第186号 2000.12.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第186号（2000.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全228字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （27kb） |
| 雑誌掲載位置 | 138ページ目 |
ＤＲＡＭ微細化工場 米Ｍｉｃｒｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ， Ｉｎｃ．は，２００１年内に同社のメモリーをすべて０．１５μｍに移行させる。Ｖｉｃｅ Ｐｒｅｓｉｄｅｎｔ Ｓａｌｅｓ ＆ ＭａｒｋｅｔｉｎｇのＭｉｃｈａｅｌ Ｓａｄｌｅｒ氏によると，「２０００年末までに米国ボイジの工場の５０％を０．１５μｍプロセスに変える」とする。ボイジの残りとイタリア，日本，シンガポールにある他の工場も２００１年内に「１…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「1ページ（全228字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
技術レター［ＬＳＩ設計］〜Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ向け ソリューションが見えた 「Ｗｏｒｌｄ ＰＣ Ｅｘｐｏ ２０００」
技術レター［ＬＳＩ製造］〜２００３年，０．０９μｍで６Ｆ２独Ｉｎｆｉｎｅｏｎの ＤＲＡＭ微細化計画
技術レター［ＬＳＩ製造］〜ゲート長０．０９５μｍの システムＬＳＩ技術を ＮＥＣが開発
技術レター［ＬＳＩ製造］〜米Ｉｎｔｅｌ，０．１３μｍ ロジックＬＳＩプロセスの 開発を完了
技術レター［パッケージ］〜台湾メーカーが新竹で システム・イン・パッケージ 技術を徹底討論
