技術レター［ＬＳＩ製造］〜２００３年，０．０９μｍで６Ｆ２独Ｉｎｆｉｎｅｏｎの ＤＲＡＭ微細化計画
日経マイクロデバイス 第186号 2000.12.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第186号（2000.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全401字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （27kb） |
| 雑誌掲載位置 | 138ページ目 |
ＤＲＡＭメモリー・セル 独Ｉｎｆｉｎｅｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ ＡＧ．のＳｅｎｉｏｒ Ｖｉｃｅ Ｐｒｅｓｉｄｅｎｔ ＆ Ｇｅｎｅｒａｌ Ｍａｎａｇｅｒ， Ｍｅｍｏｒｙ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ ＤｉｖｉｓｉｏｎのＨａｒａｌｄ Ｅｇｇｅｒｓ氏は本誌のインタビューに応じ，同社のＤＲＡＭの微細化計画を明らかにした。当面はトレンチ型セルを使い続ける。２０００年末までに１００％を０．１７μｍへ移行し，その後２…
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