技術レター［ＬＳＩ製造］〜エルピーダメモリが ０．１３μｍの２５６Ｍで先行 同一チップで２方式に対応
日経マイクロデバイス 第185号 2000.11.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第185号（2000.11.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全657字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （26kb） |
| 雑誌掲載位置 | 66ページ目 |
ＤＲＡＭ戦略微細化 ０．１３μｍプロセスの２５６ＭビットＤＲＡＭを，エルピーダメモリが他社に先駆けて開発した。露光技術は，レベンソン型やハーフトーン型の位相シフト技術，変形照明技術，ＫｒＦエキシマレーザー・スキャン露光装置を組み合わせた。セル技術は，Ｔａ２Ｏ５キャパシタ絶縁膜とＨＳＧ（ｈｅｍｉ ｓｐｈｅｒｉｃａｌ ｇｒａｉｎ）−Ｓｉ技術を組み合わせた円筒構造のスタック型セルを採用している。この結果…
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