技術レター［ＬＳＩ製造］〜「２０００ ＩＥＤＭ」，進む ゲート絶縁膜の高誘電率化 メモリーは再び高集積志向
日経マイクロデバイス 第185号 2000.11.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第185号（2000.11.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全2188字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （27kb） |
| 雑誌掲載位置 | 65ページ目 |
ゲート絶縁膜メモリー学会 ゲート絶縁膜の高誘電率化とメモリーの高集積化。この二つを目指した発表が， １２月１１日〜１３日に米国サンフランシスコで開かれる「２０００ ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｍｅｅｔｉｎｇ（２０００ ＩＥＤＭ） 」に続出する（発表の詳細や他の分野の情報はホームページ「ＬＳＩ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｅｒｓ’（ＵＲＬ：ｈｔｔｐ：／／ｎｅ．ｎｉ…
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