技術レター［ＬＳＩ製造］〜通信機器向けを狙い 米ＩＢＭがＳｉＧｅ−ＨＢＴを ０．２５μｍに微細化
日経マイクロデバイス 第182号 2000.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第182号（2000.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全274字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （25kb） |
| 雑誌掲載位置 | 52ページ目 |
通信機器高速化微細化 米ＩＢＭ Ｃｏｒｐ．は， ＳｉＧｅを使ったＨＢＴ（ｈｅｔｅｒｏ−ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｂｉｐｏｌａｒ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を搭載できるバイ−ＣＭＯＳの量産プロセスを，従来の０．５μｍから０．２５μｍへ微細化した。この微細化により，ＨＢＴを使った高周波回路とＣＭＯＳを使った高性能ロジック回路を混載できるようになる。高性能化と低電力化の両立を図り，携帯通信機器の無線受信部や低雑音増…
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