技術レター［ＬＳＩ製造］〜富士通，５０億円を投じて　強誘電体ＬＳＩを　５００万個／月に増産
日経マイクロデバイス　第182号　2000.8.1

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掲載誌	日経マイクロデバイス　第182号（2000.8.1）
ページ数	1ページ　（全268字）
形式	PDFファイル形式　（25kb）
雑誌掲載位置	52ページ目

強誘電体メモリー工場混載　富士通が強誘電体技術を使ったＬＳＩを増産する。０．５μｍルールで量産中の岩手工場の専用ラインに約５０億円を投じ，メモリー単体とメモリー混載ＬＳＩを合わせて１０月をメドに現在の３倍に当たる５００万個／月にする。同社は，強誘電体メモリーの２０００年度売上高として８０億円を見込んでおり，２００４年度には１０００億円に引き上げる計画である。すでに岩手県水沢市が住民カードとして採用…