技術レター［ＬＳＩ製造］〜台湾ＴＳＭＣ　０．１３μｍから　ＳＯＩ技術を実用化
日経マイクロデバイス　第182号　2000.8.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第182号（2000.8.1）
ページ数	1ページ　（全386字）
形式	PDFファイル形式　（25kb）
雑誌掲載位置	52ページ目

ＳＯＩＳｉファウンドリウエーハ　「０．１３μｍ以降のオプション・プロセスとしてＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ　ｏｎ　ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）を実用化する」。台湾Ｔａｉｗａｎ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ　Ｃｏ．，Ｌｔｄ．（ＴＳＭＣ）が７月に開催した「２０００　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ」で，同社の研究・開発部門の総責任者であるＳｈａｎｇ−Ｙｉ　Ｃｈｉａｎｇ氏が明らかにし…