特集 Ｐａｒｔ２〜第２の新技術創生期へ デバイス構造を革新
日経マイクロデバイス 第181号 2000.7.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第181号（2000.7.1） |
|---|---|
| ページ数 | 9ページ （全15267字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （179kb） |
| 雑誌掲載位置 | 112〜120ページ目 |
トランジスタ ＤＲＡＭ 不揮発性メモリー 方向 デバイス技術は，トランジスタ，ＤＲＡＭ，不揮発性メモリーの各分野で第２の新技術創生期に入る。１９６０年代，１９７０年代の「基本技術の発明期」に生まれた技術を基に１９８０年代，１９９０年代は微細化一辺倒で進んできたが，これからは新しい時代に突入する。 課題 スケーリング則に沿った単純な微細化だけではＬＳＩの進化を支えきれなくなる方向が見え始めている。例…
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