ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー）〜ＳＲＡＭをめぐり Ｓｉファウンドリの 微細化競争が激化
日経マイクロデバイス 第180号 2000.6.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第180号（2000.6.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全300字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （37kb） |
| 雑誌掲載位置 | 164ページ目 |
ＬＳＩビジネス戦略微細化 ＳＲＡＭをめぐり大手Ｓｉファウンドリが微細化競争を激化させている。台湾Ｕｎｉｔｅｄ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏｒｐ．（ＵＭＣ）はＣｕ配線対応の０．１３μｍプロセスで製造したＳＲＡＭを発表した。ゲート長は０．１μｍ，多層配線の全層にＣｕを使っている。セルは６トランジスタ構成で，セル面積は２．２８μｍ２と小さい。台湾Ｅｔｒｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｃ．が発表…
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