ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー）〜０．１１μｍＤＲＡＭ技術を 東芝，富士通，Ｗｉｎｂｏｎｄの ３社が共同開発
日経マイクロデバイス 第180号 2000.6.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第180号（2000.6.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全494字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （37kb） |
| 雑誌掲載位置 | 165ページ目 |
ＤＲＡＭ提携ＬＳＩビジネス 東芝，富士通，台湾Ｗｉｎｂｏｎｄ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏｒｐ．の３社は，０．１３μｍと０．１１μｍのＤＲＡＭ技術を共同開発することで合意した。２００１年末をメドに１ＧビットＤＲＡＭを開発する予定である。これら３社のＤＲＡＭ関連の提携に関しては，まず１９９５年に東芝がＷｉｎｂｏｎｄに対してＤＲＡＭ技術を供与して生産委託する形で提携した。次に１９９８年から東芝と富士通…
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