ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー）〜次世代ラムバスＤＲＡＭの 転送速度はピン当たり 最大１．０６６Ｇビット／秒の方向
日経マイクロデバイス 第180号 2000.6.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第180号（2000.6.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全207字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （37kb） |
| 雑誌掲載位置 | 164ページ目 |
ＤＲＡＭＬＳＩビジネス戦略 ダイレクトラムバスＤＲＡＭ（Ｄ−ＲＤＲＡＭ）の後継に当たる米Ｒａｍｂｕｓ Ｉｎｃ．の次世代ＲＤＲＡＭインタフェースは，１ピン当たりの最大データ転送速度が１．０６６Ｇビット／秒の方向で検討されていることが本誌の調査で明らかになった。プロトコル方式の採用やデータ・バス幅はＤ−ＲＤＲＡＭと同じである（詳細はｈｔｔｐ：／／ｎｅ．ｎｉｋｋｅｉｂｐ．ｃｏ．ｊｐ／ｓｅｍｉｃｏｎ／を参…
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